厂商扎堆研发 氮化镓路线之争：再起波澜

IDM方面，目前，国内外设计和生产GaN，特别是基站射频器件的厂商大概有20几家，并不算很多，有代表性的包括Qorvo、英飞凌、NXP、Cree、日本住友、ADI、MACOM，以及我国大陆地区的三安光电、海特高新（海威华芯）、苏州能讯和英诺赛科等。

其中，Cree主要由其子公司Wolfspeed经营 RF 业务。2018年，Cree收购了英飞凌的RF部门， 该部门主要设计制造LDMOS放大器，同时拥有GaN-SiC/Si器件生产能力。收购完成后，Cree成为了全球最大的GaN射频器件供应商。Cree除为自家生产GaN射频器件外，还向外提供GaN代工生产服务。

而Qorvo在GaAs的基础上，进一步发展了GaN-on-SiC；MACOM则在早期看好GaN-ON-Si工艺，近两年也开始发展GaN-on-SiC，如上周发布了其新型GaN-on-SiC功率放大器产品线，名为MACOM PURE CARBIDE。该公司还推出了该产品线的前两个新产品MAPC-A1000和MAPC-A1100。

结语

以上主要介绍了GaN-on-Si和GaN-on-SiC这两种技术的优缺点，以及各自的发展形势，并从外延片、晶圆代工和IDM这几个方面分析了眼下该领域厂商的发展情况。

与几年前相比，有越来越多的厂商重视GaN-on-SiC，并投入了研发力量，相应的产品也越来越多。随着成本等问题的逐步解决，未来，GaN-on-SiC的性能等优势有望凸显出来，特别是在射频应用领域，GaN-on-SiC比GaN-on-Si具有更好的发展前景。

（编辑：52刷机网）

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