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深度:硅时代将落幕?第三代半导体材料时代来临【附下载】| 智东西内参

发布时间:2019-11-20 10:39:12 所属栏目:智能家居 来源:网络整理
导读:揭秘以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体的特点、优势和应用领域。

GaN 电力电子器件增速最快的是快充市场。2018 年,世界第一家 GaNIC 厂商 Navitas 和 Exagan 推出了带有集成 GaN 解决方案(GaNFast)的 45W 快速充电电源适配器,此 45W 充电器与 Apple USB-C 充电器相比,两者功率相差不大,但是体积上完全是不同的级别,内置 GaN 充电器比苹果充电器体积减少 40%。目前来看,采用 GaN 材料的快速充电器已成星火燎原之势,有望成为行业主流。

智东西认为,质量与可靠性是半导体工艺首要考虑的问题,解决如何最大限度地提高效率和功率密度,同时最小化成本的问题。而且,工作频率的不断增长也不断给当前的设计实践带来不小的挑战,比如对电磁干扰/兼容(EMI / EMC)性能和生产能力的改善需求。而宽带隙功率半导体的发展使上述问题都可以妥善解决。所有宽禁带材料中,应用最广泛的就是GaN和SiC这两种功率器件材料。SiC 最大的应用市场来自汽车,与传统解决方案相比,基于 SiC的解决方案使系统效率更高、重量更轻及结构更加紧凑。而相比于 SiC,GaN 功率器件是后进者,它拥有类似 SiC 性能优势的宽禁带材料,但拥有更大的成本控制潜力。

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(编辑:52刷机网)

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